[发明专利]在体硅加工中用于功能结构Si和牺牲层的Si的隔离方法无效
| 申请号： | 201210002678.4 | 申请日： | 2012-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN103193192A | 公开（公告）日： | 2013-07-10 |
| 发明（设计）人： | 刘瑞文;焦斌斌;孔延梅;李志刚;卢狄克;陈大鹏 | 申请（专利权）人： | 昆山光微电子有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 昆山四方专利事务所 32212 | 代理人： | 盛建德 |
| 地址： | 215325 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种在体硅加工中用于功能结构Si和牺牲层的Si的隔离方法，包括步骤：①取SOI硅片，该SOI硅片从上到下依次为上硅层、氧化硅层和下硅层，在上硅层上根据需要制作器件部分，用于功能结构的Si利用深刻蚀技术加氧化技术，实现与牺牲层硅的隔离；②在下硅层的表面上淀积一层掩蔽层，并把不需要的掩蔽层蚀刻掉，露出下硅层，然后在该露出的下硅层表面开始进行硅的深刻蚀，直至刻蚀到氧化硅层为止；③将上述上硅层上多余的硅刻蚀掉；④将上述步骤②中露出的氧化硅层刻蚀掉。该方法可使功能结构硅被完全包围，腐蚀释放时利用两种材料的高选择比，实现了作为牺牲层的Si被完全腐蚀而作为结构层的Si被完全保留，工艺难度大大降低，尤其适合大陈列化的生产制作。 | ||
| 搜索关键词： | 加工 用于 功能 结构 si 牺牲 隔离 方法 | ||
【主权项】：
一种在体硅加工中用于功能结构S i和牺牲层的S i的隔离方法，其特征在于包括以下步骤：①取SOI硅片，该SOI硅片从上到下依次为上硅层(1)、氧化硅层(2)和下硅层(3)，在所述上硅层上根据需要制作器件部分；②在下硅层的表面上淀积一层掩蔽层(4)，并把不需要的掩蔽层蚀刻掉，露出下硅层，然后在该露出的下硅层表面开始进行硅的深刻蚀，直至刻蚀到氧化硅层为止；③将上述上硅层上多余的硅刻蚀掉；④将上述步骤②中露出的氧化硅层刻蚀掉。
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