[发明专利]化学机械抛光液、系统和方法有效
| 申请号： | 201210003774.0 | 申请日： | 2012-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN102732157A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | 陈科维;魏国修;张世杰;王英郎 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | C09G1/02 | 分类号： | C09G1/02;H01L21/321;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;房岭梅 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种金属抛光液包括化学溶液和磨料，该磨料的特征为颗粒尺寸的双峰式分布或者其他多峰式分布或者普遍存在两种或者更多种颗粒尺寸或者颗粒尺寸的范围。还提供了一种用于在CMP抛光操作中使用抛光液的方法和系统。 | ||
| 搜索关键词： | 化学 机械抛光 系统 方法 | ||
【主权项】：
一种化学机械抛光CMP液，包括：具有磨料颗粒的化学溶液，所述磨料颗粒的颗粒尺寸具有多峰式分布。
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