[发明专利]利用含硅掩模形成沟渠的方法有效
| 申请号： | 201210004040.4 | 申请日： | 2012-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN102810471A | 公开（公告）日： | 2012-12-05 |
| 发明（设计）人： | 李秀春;陈逸男;刘献文 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/308 | 分类号： | H01L21/308;H01L21/02 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人： | 江耀纯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种利用含硅掩模形成沟渠的方法，包括：首先，形成一基底，并且一含硅掩模覆盖在所述基底上，然后注入抗蚀刻掺质到含硅掩模，使得含硅掩模变为一抗蚀掩模，接着图案化基底和抗蚀掩模，而形成至少一沟渠，之后再形成一含硅材料层填满沟渠，最后以抗蚀掩模为掩模，蚀刻部分含硅材料层。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 含硅掩模 形成 沟渠 方法 | ||
【主权项】：
一种利用含硅掩模形成沟渠的方法，其特征在于包括：形成一基底，并且一含硅掩模覆盖在所述的基底上；注入抗蚀刻掺质到所述含硅掩模，使得所述含硅掩模变成一抗蚀掩模；图案化所述基底和所述抗蚀掩模，而形成至少一沟渠；形成一含硅材料层填满所述的沟渠；及用所述抗蚀掩模当作掩模，蚀刻部分所述含硅材料层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
