[发明专利]低温多晶硅薄膜晶体管制造方法

摘要

本发明为一种低温多晶硅薄膜晶体管制造方法，该方法为在一基板上形成一非晶硅层，接着对该非晶硅层进行去氢处理，此时即使非晶硅层成为一微晶粒状，其后在该微晶粒状的非晶硅层上再形成一层未微晶粒化的非晶硅层，再接着对该非晶硅层上进行去氢处理使非晶硅层也成为一微晶粒状，然后继续重复形成该非晶硅层并进行去氢处理，以形成多层微晶粒状的非晶硅层，最后再进行一准分子激光退火工艺，使该多层微晶粒状的非晶硅层结晶成为一多晶硅层，其中该多晶硅层因为经过预处理成为多层微晶粒状的非晶硅层后再进行准分子激光退火工艺，使多晶硅层之晶粒变得更大，因此载子迁移率也变大。

主权项

一种低温多晶硅薄膜晶体管制造方法，其特征在于，该方法包括：于一基板上形成一非晶硅层；对该非晶硅层进行去氢处理，使该非晶硅层成为一微晶粒状；再于该微晶粒状的非晶硅层上形成一非晶硅层；再对该非晶硅层进行去氢处理，使该非晶硅层成为一微晶粒状；重复形成该非晶硅层并进行去氢处理，以形成该多层微晶粒状的非晶硅层；进行一准分子激光退火工艺，使该多层微晶粒状的非晶硅层结晶成为一多晶硅层。