[发明专利]锗硅HBT器件及制造方法

摘要

本发明公开了一种锗硅HBT，集电区由形成于有源区中的一N型离子注入区组成，基区由形成于有源区上的P型锗硅外延层组成，发射区由形成于基区上部的N型多晶硅组成。基区的尺寸小于有源区的尺寸，通过在基区周侧的有源区上方形成金属接触来引出集电极。本发明能大大缩小器件的面积、减小器件的基区-集电区的结电容、提高器件的频率特征，集电区不需要成本昂贵的外延工艺，能降低工艺成本。本发明公开了一种锗硅HBT器件的制造方法。

主权项

一种锗硅HBT器件，形成于硅衬底上，有源区由浅槽场氧隔离，其特征在于，包括：集电区，由形成于所述有源区中的一N型离子注入区组成；基区，由形成于所述有源区上的P型锗硅外延层组成，所述基区在所述有源区的表面和所述集电区相接触；所述基区的尺寸小于所述有源区的尺寸、且所述基区位于所述有源区的中间区域的上方；发射区，由形成于所述基区上部的N型多晶硅组成，所述发射区和所述基区相接触，所述发射区的尺寸小于所述基区的尺寸、且所述发射区位于所述基区的中间区域的上方；在所述发射区的顶部形成有金属接触，该金属接触和所述发射区接触并引出发射极；和所述发射区相接触的所述基区为本征基区，所述本征基区外侧的所述基区为外基区，所述外基区的掺杂浓度大于所述本征基区的掺杂浓度；在所述外基区的顶部形成有金属接触，该金属接触和所述外基区接触并引出基极；在所述基区周侧的所述有源区上方形成有金属接触，该金属接触和所述集电区接触并引出集电极。