[发明专利]基于碳纳米管薄膜的三维异质结同位素电池及其制备方法有效
| 申请号： | 201210004773.8 | 申请日： | 2012-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN102543239A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 张锦文;陈长串;常一阳;刘鹏 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | G21H1/06 | 分类号： | G21H1/06;B81B7/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200 | 代理人： | 李稚婷 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种基于碳纳米管薄膜的三维异质结同位素电池及其制备方法。该同位素电池的换能结构包括衬底、背电极、以及图形化的绝缘层和绝缘层上的正面电极；换能结构衬底的正面具有三维阵列结构，表面沉积有碳纳米管薄膜；碳纳米管薄膜与衬底的接触部分形成异质结，与正面电极形成欧姆接触；源结构包括衬底和衬底表面的放射性同位素膜；源结构和换能结构对准封接在一起，二者相接触的部位之间电学隔离，而源结构的放射性同位素膜和换能结构的异质结相对，位于封接形成的空腔内。该同位素电池中的三维结构有效增大了器件作用面积，提高了器件性能；碳纳米管薄膜与其他半导体材料接触形成的异质结提高了同位素电池的转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 纳米 薄膜 三维 异质结 同位素 电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种三维异质结同位素电池，包括换能结构和源结构两部分，其中：换能结构包括第一衬底，位于第一衬底背面的背电极，以及位于第一衬底正面的图形化的绝缘层和绝缘层上的正面电极；所述第一衬底的正面具有三维阵列结构，表面沉积有碳纳米管薄膜；该碳纳米管薄膜与第一衬底的接触部分形成异质结，与正面电极形成欧姆接触；源结构包括第二衬底和位于第二衬底表面的放射性同位素膜；源结构和换能结构对准封接在一起，二者相接触的部位之间电学隔离，而源结构的放射性同位素膜和换能结构的异质结相对，位于封接形成的空腔内。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京大学，未经北京大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210004773.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：安瓿开启器
- 下一篇：喷头盖定位取盖下盖装置
