[发明专利]一种消除掺氮直拉单晶硅片中原生氧沉淀的方法无效
| 申请号： | 201210005592.7 | 申请日： | 2012-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN102605433A | 公开（公告）日： | 2012-07-25 |
| 发明（设计）人： | 马向阳;徐泽;杨德仁 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C30B33/02 | 分类号： | C30B33/02;C30B29/06 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人： | 胡红娟 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种消除掺氮直拉单晶硅片中原生氧沉淀的方法，包括：在纯度大于99.99％的氩气气氛下，对掺氮直拉单晶硅片进行快速热处理，然后自然冷却；其中，所述快速热处理的升温速率为10-100℃/s，快速热处理的最高温度为1200-1250℃，掺氮直拉单晶硅片在最高温度下维持30-150s。该方法能够快速、有效地消除掺氮直拉单晶硅片中的原生氧沉淀，从而抑制硅片在后续热处理中产生氧化诱生层错，具有工艺简单、热预算低的特点，特别适用于初始氧浓度为6×1017-1.1×1018cm-3、氮掺杂浓度为2×1014-4×1015cm-3的掺氮直拉单晶硅片。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 消除 掺氮直拉 单晶硅 片中 原生 沉淀 方法 | ||
【主权项】：
一种消除掺氮直拉单晶硅片中原生氧沉淀的方法，包括：在纯度大于99.99％的氩气气氛下，对掺氮直拉单晶硅片进行快速热处理，然后自然冷却。
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