[发明专利]一种提高晶硅太阳能电池并联电阻的方法无效
| 申请号： | 201210005731.6 | 申请日： | 2012-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN102522331A | 公开（公告）日： | 2012-06-27 |
| 发明（设计）人： | 徐杰;赵丽艳 | 申请（专利权）人： | 浙江鸿禧光伏科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 314206 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种提高晶硅太阳能电池并联电阻的方法，包括：(1)将原始硅片依次按照正常的制绒、扩散工艺进行处理；(2)采用干法刻蚀的工艺，通过调整氧气和四氟化碳的流量、刻蚀时间等参数，对扩散后的硅片进行处理。本发明通过调节氧气、四氟化碳和刻蚀时间各工艺参数，提高等离子体对硅片边缘的轰击能力，从而提高干法刻蚀的深度和均匀性。这样可以有效地提高太阳能电池的并联电阻，减少漏电，提高开路电压，达到提高太阳能电池的转换效率的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 太阳能电池 并联 电阻 方法 | ||
【主权项】：
一种提高晶硅太阳能电池并联电阻的方法，其特征在于，具体工艺步骤为：(1)将经过清洗制绒、扩散后的硅片用工装安置好，放入等离子体刻蚀机准备刻蚀；(2)采用干法刻蚀的工艺，通过调整等离子体刻蚀机的氧气、四氟化碳的流量以及总体的刻蚀时间，对扩散后的硅片进行刻蚀。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江鸿禧光伏科技股份有限公司，未经浙江鸿禧光伏科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210005731.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
