[发明专利]一种准单晶硅铸锭设备及铸锭方法无效
申请号: | 201210005796.0 | 申请日: | 2012-01-10 |
公开(公告)号: | CN103194794A | 公开(公告)日: | 2013-07-10 |
发明(设计)人: | 徐传兴 | 申请(专利权)人: | 徐传兴 |
主分类号: | C30B28/06 | 分类号: | C30B28/06;C30B29/06;C30B11/00 |
代理公司: | 上海唯源专利代理有限公司 31229 | 代理人: | 曾耀先 |
地址: | 310014 浙江省杭州*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明涉及一种准单晶硅铸锭设备,其包括设置于壳体内的铸锭室和籽晶储存室,设置于籽晶储存室和铸锭室之间的隔热门以及可以将籽晶从籽晶储存室穿过隔热门移动铸锭室的坩埚中的籽晶投放装置。本发明还涉及利用该设备的准单晶硅铸锭方法,该方法先利用加热装置对坩埚及置入坩埚内的硅料进行加热,待硅原料完全熔化为硅液,并控温至硅液结晶前状态后,再利用籽晶投放装置将籽晶从籽晶储存室移动至铸锭室的坩埚中,进行长晶,形成硅锭。采用本发明的准单晶硅铸锭设备及方法大幅降低温度控制的难度,避免了现有技术中坩埚底部温度难以精确控制,籽晶可能全部熔化或不熔化的问题,并进而提高了生产效率,有效保证了产品的成品率。 | ||
搜索关键词: | 一种 单晶硅 铸锭 设备 方法 | ||
【主权项】:
一种准单晶硅铸锭设备,所述的设备包括壳体、设置于所述的壳体内的铸锭室以及设置于所述的铸锭室内的坩埚和加热装置,所述的加热装置设置于所述的坩埚的周围,其特征在于,所述的准单晶硅铸锭装置还包括:籽晶储存室,设置于所述的壳体内,隔热门,设置于所述的籽晶储存室和所述的铸锭室之间;籽晶投放装置,用以将籽晶穿过所述的隔热门设置于所述的籽晶储存室或所述的铸锭室的坩埚中。
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