[发明专利]一种准单晶硅铸锭设备及铸锭方法无效

专利信息
申请号: 201210005796.0 申请日: 2012-01-10
公开(公告)号: CN103194794A 公开(公告)日: 2013-07-10
发明(设计)人: 徐传兴 申请(专利权)人: 徐传兴
主分类号: C30B28/06 分类号: C30B28/06;C30B29/06;C30B11/00
代理公司: 上海唯源专利代理有限公司 31229 代理人: 曾耀先
地址: 310014 浙江省杭州*** 国省代码: 浙江;33
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及一种准单晶硅铸锭设备,其包括设置于壳体内的铸锭室和籽晶储存室,设置于籽晶储存室和铸锭室之间的隔热门以及可以将籽晶从籽晶储存室穿过隔热门移动铸锭室的坩埚中的籽晶投放装置。本发明还涉及利用该设备的准单晶硅铸锭方法,该方法先利用加热装置对坩埚及置入坩埚内的硅料进行加热,待硅原料完全熔化为硅液,并控温至硅液结晶前状态后,再利用籽晶投放装置将籽晶从籽晶储存室移动至铸锭室的坩埚中,进行长晶,形成硅锭。采用本发明的准单晶硅铸锭设备及方法大幅降低温度控制的难度,避免了现有技术中坩埚底部温度难以精确控制,籽晶可能全部熔化或不熔化的问题,并进而提高了生产效率,有效保证了产品的成品率。
搜索关键词: 一种 单晶硅 铸锭 设备 方法
【主权项】:
一种准单晶硅铸锭设备,所述的设备包括壳体、设置于所述的壳体内的铸锭室以及设置于所述的铸锭室内的坩埚和加热装置,所述的加热装置设置于所述的坩埚的周围,其特征在于,所述的准单晶硅铸锭装置还包括:籽晶储存室,设置于所述的壳体内,隔热门,设置于所述的籽晶储存室和所述的铸锭室之间;籽晶投放装置,用以将籽晶穿过所述的隔热门设置于所述的籽晶储存室或所述的铸锭室的坩埚中。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于徐传兴,未经徐传兴许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210005796.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top