[发明专利]一种在硅衬底上生长非极性m面氧化锌的方法

摘要

本发明涉及一种在硅衬底上生长非极性m面ZnO的方法。以硅为衬底，二乙基锌和去离子水分别作为锌源和氧源，氮气作为锌源、氧源的载气；将反应生长室抽真空至10Pa以下，室温～300℃下，先通入二乙基锌，接着用氮气吹扫，再通入水，再吹扫，如此即为一个周期，直至器件要求的厚度。同时，通过加入Al2O3缓冲层，可改善非极性m面ZnO的晶体质量，其光致发光谱中带边发光峰的强度得到显著增强，而异质结的漏电流减小了一个数量级。

主权项

一种在硅衬底上生长非极性m面ZnO的方法，其特征在于：以硅为衬底，二乙基锌和去离子水分别作为锌源和氧源，氮气作为锌源、氧源的载气；将反应生长室抽真空至10Pa以下，室温～300℃下，先通入二乙基锌，接着用氮气吹扫，再通入水，再吹扫，如此即为一个周期，直至器件要求的厚度。