[发明专利]一种阴离子位掺杂钒酸根的硅酸亚铁锂正极材料及其制备方法无效
| 申请号： | 201210007104.6 | 申请日： | 2012-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN102544512A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 余爱水;蒿豪;刘佳丽;黄桃 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01M4/62 | 分类号： | H01M4/62;H01M4/58 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于锂离子电池技术领域，具体一种阴离子位掺杂钒酸根的硅酸亚铁锂正极材料及其制备方法。本发明采用溶胶凝胶法和高温固相法相结合的方法来制备锂离子电池正极材料Li2FeSi1-xVxO4/C(0＜x≤0.1)。通过高价态的V5+取代Si4+,在材料内部引入缺陷，提高了材料的本征电导率和锂离子扩散系数，从而改善了其电化学性能，首圈放电容量达到159mAhg-1,循环30圈后容量保持率为91%。并且制备方法简单，成本低，易于规模化，在锂离子电池正极领域具有潜在的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 阴离子 掺杂 酸根 硅酸 亚铁 正极 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种锂离子电池正极材料，其特征在于为钒掺杂的硅酸亚铁锂与碳的复合材料，其化学表达式为Li2FeSi1‑xVxO4/C ，0＜x≤0.1 。
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