[发明专利]一种低成本制备双轴织构氧化物缓冲层的方法无效
| 申请号： | 201210007749.X | 申请日： | 2012-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN103208586A | 公开（公告）日： | 2013-07-17 |
| 发明（设计）人： | 刘志勇;蔡增辉;白传易;鲁玉明;蔡传兵 | 申请（专利权）人： | 上海恒云能源科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L39/24 | 分类号： | H01L39/24 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 200072 上海市广延路35*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低成本制备双轴织构氧化物缓冲层的方法。该方法是指通过电沉积的方法在金属基底上制备氧化物缓冲层，然后进行热处理，最后得到具有良好面内面外双轴织构的外延氧化物膜。氧化物指的是ReOx，ReMnxOy和RexZryOz(Re为Y，Zr及Ce、Gd、Ho等稀土元素)等可用于第二代高温超导带材的各种缓冲层。本发明可以制备单层双轴织构氧化物缓冲层，也可以制备多层双轴织构氧化物缓冲层。在电沉积的过程中施加磁场，可以提高双轴织构氧化物缓冲层的表面质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低成本 制备 双轴织构 氧化物 缓冲 方法 | ||
【主权项】：
一种通过电沉积和后续热处理制备双轴织构二元或三元氧化物缓冲层薄膜的方法，其特征是：通过电沉积形成的是氧化物薄膜，且形成的氧化物薄膜具有良好的面内和面外织构，且表面粗糙度为纳米级。
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