[发明专利]锗硅BiCMOS中的横向齐纳二极管结构及其实现方法

摘要

本发明公开了一种锗硅BiCMOS中的横向齐纳二极管结构及其实现方法，该结构包括：P型衬底，浅槽区填充氧化物，浅槽区填充氧化物上按由下往上依次形成的第一氧化硅层、第一多晶硅层、SiGe层、第一氧化硅介质层和第一氮化硅介质层，N区，P区，N区上形成的第二氧化硅介质层和第二氮化硅介质层，重掺杂的发射极多晶硅层、发射极侧墙；其实现方法主要在于：1)N区：掺杂条件与锗硅HBT三极管的集电区注入一致；2)P区：是重掺杂，工艺条件与锗硅HBT的外基区注入一致；3)P区位于N区的两侧，N区通过重掺杂的发射极多晶硅引出。本发明实现了与锗硅BiCMOS工艺的完全集成，为锗硅BiCMOS的电路设计提供稳压器件。

主权项

一种锗硅BiCMOS中的横向齐纳二极管结构，其特征在于，包括：P型衬底；P型衬底内形成的浅槽区填充氧化物；浅槽区填充氧化物上表面的按由下往上依次形成的第一氧化硅层、第一多晶硅层、SiGe层、第一氧化硅介质层和第一氮化硅介质层；P型衬底内形成的齐纳二极管N区，该N区的掺杂条件与锗硅HBT三极管的集电区注入一致；P型衬底内形成的齐纳二极管P区，该P区是重掺杂，其形成的工艺条件与锗硅HBT的外基区注入一致；齐纳二极管N区两端的上表面分别形成的第二氧化硅介质层，且该第二氧化硅介质层之上设有第二氮化硅介质层；重掺杂的发射极多晶硅层，位于齐纳二极管N区之上，并覆盖住第二氮化硅介质层；发射极侧墙，位于齐纳二极管P区之上，并与重掺杂的发射极多晶硅层的两侧分别相邻；其中，所述齐纳二极管P区位于齐纳二极管N区的两侧，齐纳二极管N区通过重掺杂的发射极多晶硅层引出，且该齐纳二极管P区分别与浅槽区填充氧化物相邻。