[发明专利]一种中高介电常数低温共烧陶瓷材料及其制备方法

摘要

一种中高介电常数低温共烧陶瓷材料，陶瓷主相包括15～35％的Nb2O5，10～25％的ZnO、10～25％的BaO、10～20％的TiO2、1～10％的ZrO2、1～8％的Sm2O3，和余量的La2O3；助熔料包括5～10％的SnO2、5～10％的CuO、5～10％的SiO2和1～5％的B2O3，此外还包括0～5％的Al2O3和0～5％的LiF。制备方法步骤如下：1)制得一次陶瓷材料混合物；2)首次研磨；3)煅烧；4)制得二次助熔料与陶瓷主相煅烧料的研磨混合粉体；5)再次煅烧；6)再次研磨。测试结果如下：烧结温度低至830℃～880℃，烧结收缩率可控制在10～20％；介电常数调节范围为35～55，介电损耗率低至0.001以下；谐振频率温度系数为-20～20ppm，可用来制作小型化、高容量的微波器件。

主权项

一种中高介电常数低温共烧陶瓷材料，包括陶瓷主相和助熔料，其特征在于，所述陶瓷主相的组分及其重量百分比如下：Nb2O5                         15～35％；ZnO                           10～25％；BaO                           10～25％；使用相同物质量的BaCO3；TiO2                          10～20％；ZrO2                          1～10％；Sm2O3                         1～8％；La2O3                         余量；所述助熔料的组分及其重量百分比如下：SnO2                          5～10％；CuO                           5～10％；SiO2                          5～10％；B2O3                          1～5％。