[发明专利]双位氮化硅只读存储器制造方法及双位氮化硅只读存储器

摘要

本发明提供了一种双位氮化硅只读存储器制造方法及双位氮化硅只读存储器。根据本发明的双位氮化硅只读存储器制造方法包括：在硅片上形成底层氧化硅层；在底层氧化硅层上形成氮化硅层；在氮化硅层上形成阻挡氧化硅层；在阻挡氧化硅层上形成控制栅层；其中，氮化硅层包括富硅氮化硅层、以及位于富硅氮化硅层两侧的分别靠近源极和漏极的两个渐变氮化硅层，并且其中，在两个渐变氮化硅层中，在从底部氧化层到阻挡氧化层的方向上，硅含量逐渐减少，而氮含量逐渐增大。根据本发明，通过改进氮化硅只读存储器中氮化硅层的结构，阻挡电荷的横向移动，使过擦出现象减小甚至消除，同时防止了阈值电压的漂移，增强了器件的可靠性。

主权项

一种双位氮化硅只读存储器制造方法，其特征在于包括：在硅片上形成底层氧化硅层；在所述底层氧化硅层上形成氮化硅层；在所述氮化硅层上形成阻挡氧化硅层；在所述阻挡氧化硅层上形成控制栅层；其中，所述氮化硅层包括富硅氮化硅层、以及位于富硅氮化硅层两侧的分别靠近源极和漏极的两个渐变氮化硅层，并且其中，在所述两个渐变氮化硅层中，在从所述底部氧化层到所述阻挡氧化层的方向上，硅含量逐渐减少，而氮含量逐渐增大。