[发明专利]减小器件负偏压温度不稳定性效应的方法及器件制造方法无效
| 申请号： | 201210009099.2 | 申请日： | 2012-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN102709186A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 张冬明 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种减小器件负偏压温度不稳定性效应的方法及器件制造方法。根据本发明的减小器件负偏压温度不稳定性效应的方法包括：在光刻以形成MOS半导体器件的多晶硅栅极之前，对多晶硅执行氘掺杂，并且在光刻以形成MOS半导体器件的多晶硅栅极之后，形成栅极侧墙。根据本发明，通过在多晶硅淀积后的离子注入工艺中注入氘(D)，把氘注入到SiO2/Si界面形成Si-D键，用以钝化SiO2/Si界面的Si悬挂键，也可以取代器件中原有的Si-H键，随着Si悬挂键被D钝化，原有的Si悬挂键正电荷中心不再具有电性，而且Si-D键不易断裂，从而提高PMOS器件中的NBTI性能，进而提高PMOS器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 减小 器件 偏压 温度 不稳定性 效应 方法 制造 | ||
【主权项】：
一种减小器件负偏压温度不稳定性效应的方法，其特征在于包括：在光刻以形成MOS半导体器件的多晶硅栅极之前，对多晶硅执行氘掺杂，并且在光刻以形成MOS半导体器件的多晶硅栅极之后，形成栅极侧墙。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
