[发明专利]短程表面等离子体波导与介质波导混合耦合阵列式结构有效
| 申请号： | 201210009165.6 | 申请日： | 2012-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN102608699A | 公开（公告）日： | 2012-07-25 |
| 发明（设计）人： | 刘仿;樊博宇;黄翊东;张巍;冯雪;崔开宇 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | G02B6/122 | 分类号： | G02B6/122 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人： | 史双元 |
| 地址： | 100084 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及短程表面等离子体波导与介质波导混合耦合阵列式结构，其特征在于，所述耦合阵列式结构包括：介质衬底层，以及位于介质衬底上的至少两个耦合结构，所述耦合结构包括：介质波导层，所述介质波导层位于所述介质衬底层上；以及短程表面等离子体波导层，所述短程表面等离子体波导层位于所述介质波导层上，其中，至少一个所述耦合结构的短程表面等离子体波导层与另一个所述耦合结构的短程表面等离子体波导层具有不同厚度。采用所述结构可实现大传感区域的超薄物质折射率的高灵敏度检测芯片。 | ||
| 搜索关键词： | 短程 表面 等离子体 波导 介质波导 混合 耦合 阵列 结构 | ||
【主权项】：
短程表面等离子体波导与介质波导混合耦合阵列式结构，其特征在于，所述耦合阵列式结构包括：介质衬底层；以及位于介质衬底上的至少两个耦合结构，所述耦合结构包括：介质波导层，所述介质波导层位于所述介质衬底层上；以及短程表面等离子体波导层，所述短程表面等离子体波导层位于所述介质波导层上，其中，至少一个所述耦合结构的短程表面等离子体波导层与另一个所述耦合结构的短程表面等离子体波导层具有不同厚度。
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