[发明专利]SONOS器件单元

摘要

根据本发明的SONOS器件单元包括：源极、漏极和栅极；其中，所述源极和所述漏极之间形成有沟槽，ONO结构布置在所述源极和所述漏极之间，且所述ONO结构布置在所述沟槽的侧部和底部，并且所述栅极布置在所述ONO结构上，并且所述栅极填充了所述沟槽。本发明采用沟槽结构形成SONOS器件单元的沟道，这样可以利用场致增强隧穿效应，降低操作电压，提高编程和擦除速度，并且可以在有限面积、尺寸下获得足够的沟道长度，进一步可以提高SONOS器件单元的微缩能力。

主权项

一种SONOS器件单元，其特征在于包括：源极、漏极和栅极；其中，所述源极和所述漏极之间形成有沟槽，ONO结构布置在所述源极和所述漏极之间，且所述ONO结构布置在所述沟槽的侧部和底部，并且所述栅极布置在所述ONO结构上，并且所述栅极填充了所述沟槽。