[发明专利]焦绿石薄膜多层陶瓷电容器及其低温制备方法

摘要

本发明利用薄膜沉积工艺和多层电容器结构特征，并且根据在低温(摄氏20～200度)制备的焦绿石薄膜具有高介电常数的特点，利用掩膜版或光刻等工艺在有机基板等衬底上分别交替多次制备贱金属电极和铋锌铌或铋镁铌等介质薄膜，形成薄膜多层陶瓷电容器。该薄膜多层陶瓷电容器由于是低温制备，可以采用铝、铜、镍或其他贱金属作为薄膜多层陶瓷电容器的电极材料，另外，由于是低温制备，与有机电路板和多层印刷线路板等好的工艺兼容性，可以在有机基板或多层印刷线路板上直接制备。低温下磁控溅射沉积的焦绿石薄膜介电常数可达到60以上，介电损耗小于2％。这种薄膜多层陶瓷电容器具有低温制备、体积小、使用电压低、可靠性高、电容量大、损耗小和成本低廉等特点，是一种新型的嵌入式薄膜多层陶瓷电容器。

主权项

一种在低温下沉积焦绿石陶瓷薄膜作为电介质的多层陶瓷电容器制备方法，其特征在于，包括如下步骤：1)在衬底材料上，利用掩膜版或光刻工艺，采用射频磁控溅射法沉积金属钛(Ti)薄膜作为粘附层，再沉积铜(Cu)、铝(Al)或镍(Ni)金属薄膜作为电极；2)在金属薄膜上，利用掩膜版或光刻工艺，采用射频磁控溅射法，在低温下沉积焦绿石电介质薄膜层；3)再在电介质薄膜层上，利用掩膜版或光刻工艺，采用射频磁控溅射法沉积一层金属铜(Cu)、铝(Al)或镍(Ni)金属薄膜层作为这一层的上电极，同时也是下一层的底电极；4)多次重复2)和3)的步骤，制备焦绿石薄膜多层陶瓷电容器。