[发明专利]BaTi2O5薄膜择优取向生长的制备方法

摘要

本发明涉及BaTi2O5薄膜择优取向生长的制备方法，包括有以下步骤：1)制得钡源溶液；2)将稀释，搅拌，冷却至室温，得到钡源溶液的稀释液；3)加到液态有机钛源中，搅拌、混合，得到含钡钛的混合溶液；4)将溶液中Ba2+浓度定为0.05～0.15mol/L，搅拌，陈化，得到前驱体溶胶；5)将前驱体溶胶滴到单晶基板上，在匀胶机上对前驱体溶胶进行匀胶，得到湿膜，热解，得到非晶单层薄膜；6)置于快速退火炉中，晶化，得到晶化单层薄膜；7)重复步骤5)和步骤6)多次，即可。本发明的有益效果是：本发明提供的方法实施方便，对实验设备要求不高，成本低，表面平整致密、组分均匀、颗粒分布均匀。

主权项

BaTi2O5薄膜择优取向生长的制备方法，其特征在于包括有以下步骤：1) 称取钡源原料，在60～80℃水浴条件下溶解于乙酸中，得到钡源溶液；2) 将步骤1)所得钡源溶液中加入乙二醇甲醚稀释，然后在60～80℃下充分搅拌，冷却至室温，得到钡源溶液的稀释液；3)将步骤2)所得钡源溶液的稀释液加到液态有机钛源中，其中按摩尔比计Ba:Ti=1:2，充分搅拌、混合，得到含钡钛的混合溶液；4) 向步骤3)所得的含钡钛的混合溶液中加入乙二醇甲醚，将溶液中Ba2+浓度定为0.05～0.15mol/L，搅拌，陈化，得到澄清、透明的前驱体溶胶；5) 将步骤4)所得的前驱体溶胶滴到单晶基板上，在匀胶机上对前驱体溶胶进行匀胶，得到湿膜，然后在通氧气的气氛炉中，从室温升到100～120℃，保温20～40min；再升温到350～500℃，保温10～40min以进行热解，得到非晶单层薄膜；6) 将步骤5)得到的非晶单层薄膜置于快速退火炉中，升温至800～900℃以进行晶化，通入氧气，保温1～10min，关闭电源，在氧气气氛下冷却至室温得到晶化单层薄膜；7)在晶化单层薄膜上重复步骤5)和步骤6)的匀胶、热解和晶化步骤多次，即实施层层热处理工艺，得到多层BaTi2O5薄膜，并实现(020)择优取向生长。