[发明专利]存储装置和其操作方法无效
| 申请号： | 201210009739.X | 申请日： | 2012-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN102592656A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 大塚涉 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | G11C7/12 | 分类号： | G11C7/12 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 郭定辉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在此公开存储装置和其操作方法。所述存储装置包括每一个均具有存储元件和晶体管的多个存储单元、字线和第一与第二位线以及驱动部分。在针对位于一条字线上的第一存储元件进行置位操作时并且在针对位于所述一条字线上的第二存储元件进行复位操作时，驱动部分将给定字线电位施加至所述一条字线，并且将对应于第一存储元件的第一与第二位线之中的低电位侧的位线的电位设定到比对应于第二存储元件的低电位侧的位线的电位的值高给定电位差的量的值。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 装置 操作方法 | ||
【主权项】：
一种存储装置，包括：多个存储单元，其分别具有电阻状态根据施加电压的极性而可翻转改变的存储元件和用于选择作为驱动目标的存储元件的晶体管；多条字线和多条第一与第二位线，其连接至所述多个存储单元；以及驱动部分，其通过将给定电位施加至字线和第一与第二位线，在低电阻状态和高电阻状态之间选择性地改变作为驱动目标的存储元件的电阻状态，其中，在针对位于一条字线上的第一存储元件进行将电阻状态从高电阻状态改变到低电阻状态的置位操作时并且在针对位于所述一条字线上的第二存储元件进行将电阻状态从低电阻状态改变到高电阻状态的复位操作时，驱动部分将给定字线电位施加至所述一条字线，并且将对应于第一存储元件的第一与第二位线之中的低电位侧的位线的电位设定到比对应于第二存储元件的低电位侧的位线的电位的值高给定电位差的量的值。
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