[发明专利]一种钴铬合金薄膜材料及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201210010765.4 申请日: 2012-01-16
公开(公告)号: CN103205618A 公开(公告)日: 2013-07-17
发明(设计)人: 魏志凌;高小平;孙倩;王峰 申请(专利权)人: 昆山允升吉光电科技有限公司
主分类号: C22C27/06 分类号: C22C27/06;C25D1/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 215300 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种钴铬合金薄膜材料及其制备方法,钴铬合金薄膜材料包括钴Co元素、铬Cr元素两种元素;各元素的质量百分比为:Co:20~30%,Cr:70~80%,钴铬合金薄膜厚度为1~10μm。上述的钴铬合金薄膜材料的制备方法采用电铸方法,以硫酸盐体系作为电铸液,金属阴阳极置于电铸液中,并在阴极沉积钴铬合金;所述电铸液具体包括:220~260g/L的铬酸酐、60~100g/L的硫酸钴、40~50g/L的硫酸铵。本发明可以制得高稳定性、高耐蚀性、良好生物相容性的均匀钴铬合金薄膜材料,在医疗产品方面具有广泛的应用前景。
搜索关键词: 一种 合金 薄膜 材料 及其 制备 方法
【主权项】:
一种钴铬合金薄膜材料,其特征在于,由Co钴元素、Cr铬元素组成;其中,各元素的质量百分比为:Co:20%~30%,Cr:70%~80%。
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