[发明专利]一种钴铬合金薄膜材料及其制备方法有效
申请号: | 201210010765.4 | 申请日: | 2012-01-16 |
公开(公告)号: | CN103205618A | 公开(公告)日: | 2013-07-17 |
发明(设计)人: | 魏志凌;高小平;孙倩;王峰 | 申请(专利权)人: | 昆山允升吉光电科技有限公司 |
主分类号: | C22C27/06 | 分类号: | C22C27/06;C25D1/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 215300 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种钴铬合金薄膜材料及其制备方法,钴铬合金薄膜材料包括钴Co元素、铬Cr元素两种元素;各元素的质量百分比为:Co:20~30%,Cr:70~80%,钴铬合金薄膜厚度为1~10μm。上述的钴铬合金薄膜材料的制备方法采用电铸方法,以硫酸盐体系作为电铸液,金属阴阳极置于电铸液中,并在阴极沉积钴铬合金;所述电铸液具体包括:220~260g/L的铬酸酐、60~100g/L的硫酸钴、40~50g/L的硫酸铵。本发明可以制得高稳定性、高耐蚀性、良好生物相容性的均匀钴铬合金薄膜材料,在医疗产品方面具有广泛的应用前景。 | ||
搜索关键词: | 一种 合金 薄膜 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种钴铬合金薄膜材料,其特征在于,由Co钴元素、Cr铬元素组成;其中,各元素的质量百分比为:Co:20%~30%,Cr:70%~80%。
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