[发明专利]无机与有机混合太阳能电池有效

专利信息
申请号: 201210010929.3 申请日: 2012-01-14
公开(公告)号: CN102522505A 公开(公告)日: 2012-06-27
发明(设计)人: 冯倩;李倩;郝跃;王强;邢涛 申请(专利权)人: 西安电子科技大学
主分类号: H01L51/42 分类号: H01L51/42;H01L51/44;H01L51/48
代理公司: 陕西电子工业专利中心 61205 代理人: 王品华;朱红星
地址: 710071*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明公开了一种无机与有机混合太阳能电池,主要解决现有太阳电池效率低,成本高的问题。其自下而上为:SiC衬底(1)、AlN缓冲层(2)、无机外延层(3)、阴极(4)、有机聚合物层(5)和阳极(6)。其中,AlN缓冲层(2)厚150-200nm,采用MOCVD生长;阴极(4)是在氮面n-GaN上淀积Ti和Al形成;有机聚合物(5)厚50-80nm,在氮面n-GaN上旋涂形成;阳极(6)是在有机聚合物(5)上淀积Au形成;无机外延层(3)为采用MOCVD生长的厚为2-3μm、电子浓度为1.0×1017cm-3-2.0×1018cm-3的氮面n-GaN,该氮面与阴极(4)的接触面为光滑面,与有机聚合物(5)的接触面为布满凹深为450nm-1.5μm,密度为1.0×107cm-2-4.0×108cm-2的绒面。本发明工艺简单、成本低,光电转换效率高,可用于商用和民用的发电系统。
搜索关键词: 无机 有机 混合 太阳能电池
【主权项】:
一种有机与无机混合太阳能电池,自下而上包括:SiC衬底(1)、AlN缓冲层(2)、无机外延层(3)、阴极(4)、有机聚合物层(5)和阳极(6),其特征在于无机外延层(3)采用氮面n‑GaN,且与阴极(4)接触的氮面n‑GaN表面区域采用光滑面结构,与有机聚合物层(5)接触的氮面n‑GaN表面区域采用布满凹陷的绒面结构。
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