[发明专利]无机与有机混合太阳能电池有效
申请号: | 201210010929.3 | 申请日: | 2012-01-14 |
公开(公告)号: | CN102522505A | 公开(公告)日: | 2012-06-27 |
发明(设计)人: | 冯倩;李倩;郝跃;王强;邢涛 | 申请(专利权)人: | 西安电子科技大学 |
主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42;H01L51/44;H01L51/48 |
代理公司: | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人: | 王品华;朱红星 |
地址: | 710071*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明公开了一种无机与有机混合太阳能电池,主要解决现有太阳电池效率低,成本高的问题。其自下而上为:SiC衬底(1)、AlN缓冲层(2)、无机外延层(3)、阴极(4)、有机聚合物层(5)和阳极(6)。其中,AlN缓冲层(2)厚150-200nm,采用MOCVD生长;阴极(4)是在氮面n-GaN上淀积Ti和Al形成;有机聚合物(5)厚50-80nm,在氮面n-GaN上旋涂形成;阳极(6)是在有机聚合物(5)上淀积Au形成;无机外延层(3)为采用MOCVD生长的厚为2-3μm、电子浓度为1.0×1017cm-3-2.0×1018cm-3的氮面n-GaN,该氮面与阴极(4)的接触面为光滑面,与有机聚合物(5)的接触面为布满凹深为450nm-1.5μm,密度为1.0×107cm-2-4.0×108cm-2的绒面。本发明工艺简单、成本低,光电转换效率高,可用于商用和民用的发电系统。 | ||
搜索关键词: | 无机 有机 混合 太阳能电池 | ||
【主权项】:
一种有机与无机混合太阳能电池,自下而上包括:SiC衬底(1)、AlN缓冲层(2)、无机外延层(3)、阴极(4)、有机聚合物层(5)和阳极(6),其特征在于无机外延层(3)采用氮面n‑GaN,且与阴极(4)接触的氮面n‑GaN表面区域采用光滑面结构,与有机聚合物层(5)接触的氮面n‑GaN表面区域采用布满凹陷的绒面结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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