[发明专利]一种氧化物薄膜晶体管及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201210011025.2 申请日: 2012-01-13
公开(公告)号: CN102646699A 公开(公告)日: 2012-08-22
发明(设计)人: 王祖强;金原奭;熊正平 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司
主分类号: H01L29/10 分类号: H01L29/10;H01L29/786;H01L21/336
代理公司: 北京派特恩知识产权代理事务所(普通合伙) 11270 代理人: 蒋雅洁;张颖玲
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种氧化物薄膜晶体管,所述刻蚀阻挡层为金属层;所述薄膜晶体管还包括沟道保护层,所述沟道保护层为通过氧化处理后由所述金属层转变形成的非导电的氧化层。本发明还公开了一种氧化物薄膜晶体管制备方法,包括:由两层金属组成电极;对远离沟道的上层金属薄膜通过构图工艺形成源极和漏极,并保留紧邻沟道的下层金属薄膜,所述下层金属薄膜所在的金属层作为刻蚀阻挡层;通过氧化处理后由所述金属层转变形成的非导电的氧化层作为沟道保护层;形成覆盖整个所述薄膜晶体管表面的钝化层后制得所述薄膜晶体管。采用本发明,避免了由沟道损伤所导致的TFT电学性能的下降。
搜索关键词: 一种 氧化物 薄膜晶体管 及其 制备 方法
【主权项】:
一种氧化物薄膜晶体管,包括:基板,在基板上依次形成的栅极和覆盖栅极的栅绝缘层,覆盖于栅绝缘层上的包括源区、漏区和位于源区与漏区之间的沟道的有源层,将有源层和栅绝缘层表面全部覆盖的刻蚀阻挡层,在刻蚀阻挡层表面且分别设置于沟道两侧的源极、漏极;其特征在于,所述刻蚀阻挡层为金属层;所述薄膜晶体管还包括沟道保护层,所述沟道保护层为通过氧化处理后由所述金属层转变形成的非导电的氧化层。
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