[发明专利]一种减少重掺硼直拉硅片中原生位错的方法有效
| 申请号： | 201210011355.1 | 申请日： | 2012-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN102560684A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 马向阳;葛媛;赵建江;杨德仁 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C30B33/02 | 分类号： | C30B33/02;C30B29/06 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人： | 胡红娟 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种减少重掺硼直拉硅片中原生位错的方法，包括：在纯度大于99.99％的氩气气氛下，将重掺硼直拉硅片置于1000℃-1100℃维持1-2小时，然后自然冷却；其中，所述重掺硼直拉硅片的硼掺杂浓度为7×1019-1.1×1020cm-3。本发明工艺简单，操作方便；能够快速、有效地减少甚至消除重掺硼直拉硅片中的原生位错，有效提高了重掺硼直拉硅片的质量；特别适用于硼掺杂浓度为7×1019-1.1×1020cm-3的重掺硼直拉硅片。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 减少 重掺硼直拉 硅片 原生 方法 | ||
【主权项】：
一种减少重掺硼直拉硅片中原生位错的方法，包括：在纯度大于99.99％的氩气气氛下，将重掺硼直拉硅片置于1000℃‑1100℃维持1‑2小时，然后自然冷却。
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