[发明专利]电可调谐光栅耦合器有效
| 申请号： | 201210012013.1 | 申请日： | 2012-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN102565955A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 陈弘达;张赞允;黄北举;张赞 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | G02B6/34 | 分类号： | G02B6/34;G02B6/124 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种电可调谐光栅耦合器，包括：一SOI衬底，包括硅衬底、埋氧层以及上方的顶层硅层；一斜入射光栅耦合器，位于SOI衬底之上的顶层硅层上；一P+掺杂区，位于斜入射光栅耦合器的一侧平板区域内；一N+掺杂区，位于斜入射光栅耦合器的另一侧平板区域内；一对电极，位于P+掺杂区和N+掺杂区的上方，通过金属接触通孔分别与P+掺杂区和N+掺杂区相连，用于电信号的加载；一模式转换器，一端为宽波导，该模式转换器位于斜入射光栅耦合器的一端，具有宽波导的一端与斜入射光栅耦合器的一端耦合；一单模脊型波导，与斜入射光栅耦合器分别位于模式转换器的两端；一衬底金反射镜，嵌入于SOI衬底底部的硅衬底中，斜入射光栅耦合器和埋氧层的下方。 | ||
| 搜索关键词： | 调谐 光栅 耦合器 | ||
【主权项】：
一种电可调谐光栅耦合器，包括：一SOI衬底，包括硅衬底、埋氧层以及上方的顶层硅层；一斜入射光栅耦合器，位于SOI衬底之上的顶层硅层上；一P+掺杂区，位于斜入射光栅耦合器的一侧平板区域内；一N+掺杂区，位于斜入射光栅耦合器的另一侧平板区域内；一对电极，位于P+掺杂区和N+掺杂区的上方，通过金属接触通孔分别与P+掺杂区和N+掺杂区相连，用于电信号的加载；一模式转换器，一端为宽波导，该模式转换器位于斜入射光栅耦合器的一端，具有宽波导的一端与斜入射光栅耦合器的一端耦合，实现近似绝热无损的模式转换；一单模脊型波导，与斜入射光栅耦合器分别位于模式转换器的两端，用于引导斜入射光栅耦合器耦合进入且经模式转换后的光能量单模传输；一衬底金反射镜，嵌入于SOI衬底底部的硅衬底中，斜入射光栅耦合器和埋氧层的下方。
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