[发明专利]用于CMOS图像传感器的线结合内插板封装及其制造方法无效
申请号: | 201210012092.6 | 申请日: | 2012-01-16 |
公开(公告)号: | CN103151360A | 公开(公告)日: | 2013-06-12 |
发明(设计)人: | V.奥加涅相 | 申请(专利权)人: | 奥普蒂兹公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 马丽娜;卢江 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及用于CMOS图像传感器的线结合内插板封装及其制造方法。一种图像传感器封装,其包括具有晶体装卸器的装卸器组件,所述晶体装卸器具有形成到其第一表面中的腔体。所述腔体具有限定至少一个台阶表面的阶梯侧壁,所述至少一个台阶表面向内延伸到所述腔体里面。多个导电元件均通过晶体装卸器从台阶表面延伸并且到达它的第二表面。传感器芯片设置在腔体中并且包括基板、形成在它的前表面处的多个光电检测器、和形成在前表面处的电耦合到光电检测器的多个接触焊盘。多个线均在接触焊盘中的一个和导电元件中的一个之间延伸并且电连接所述接触焊盘中的一个和导电元件中的一个。基板被设置在腔体上并且被安装到晶体装卸器。基板对至少一个范围的光波长是光学透明的。 | ||
搜索关键词: | 用于 cmos 图像传感器 结合 插板 封装 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种图像传感器封装,包括:装卸器组件,所述装卸器组件包括:具有相对的第一和第二表面的晶体装卸器,其中所述晶体装卸器包括腔体,所述腔体形成到第一表面中使得所述腔体具有限定至少一个台阶表面的阶梯侧壁,所述至少一个台阶表面向内延伸到所述腔体里面,以及多个导电元件,所述多个导电元件均通过所述晶体装卸器从所述至少一个台阶表面延伸到第二表面;设置在腔体中的传感器芯片,其中所述传感器芯片包括:具有前和后相对表面的基板,形成在前表面处的多个光电检测器,以及形成在前表面处的电耦合到光电检测器的多个接触焊盘;多个线,所述多个线均在接触焊盘中的一个和导电元件中的一个之间延伸并且电连接所述接触焊盘中的一个和导电元件中的一个;以及设置在腔体上并且被安装到晶体装卸器的基板,其中所述基板对至少一个范围的光波长是光学透明的。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于奥普蒂兹公司,未经奥普蒂兹公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210012092.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种皮肤科治疗工具盒
- 下一篇:一种超声多阵元探头装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的