[发明专利]变质基板体系、其制备方法以及III-氮化物半导体器件无效
| 申请号： | 201210012118.7 | 申请日： | 2012-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN102610719A | 公开（公告）日： | 2012-07-25 |
| 发明（设计）人： | 斯图尔特·爱德华·胡帕;瓦莱里·贝里曼-博斯奎特 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 陈平 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了一种层压基板体系，所述层压基板体系含有变质过渡区(2)，所述变质过渡区(2)由多个交替的AlxGa1-xN(5)和支撑基板材料(4)(或者与支撑基板具有相同的一般化学组成的材料)层制成。在层压基板体系之上形成具有低位错密度的III-氮化物半导体器件(2)。变质过渡区的多个层(4，5)形成超晶格结构，该超晶格结构的晶格常数和结构沿其生长方向从支撑基板(1)的(在支撑基板附近的)晶格常数和结构变化为器件(3)的(器件附近的)晶格常数和结构。 | ||
| 搜索关键词： | 变质 体系 制备 方法 以及 iii 氮化物 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种基板体系，所述基板体系包括：基板，所述基板由基板材料制成；变质过渡区，所述变质过渡区设置在所述基板的表面上，所述变质过渡区包含多个交替的AlxGa1‑xN层(0≤x≤1)和具有与所述基板材料相同的一般化学组成的材料层。
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