[发明专利]一种氮化镓基激光器管芯的制备方法无效

专利信息
申请号: 201210012559.7 申请日: 2012-01-16
公开(公告)号: CN102545051A 公开(公告)日: 2012-07-04
发明(设计)人: 张书明;王辉;刘建平;王怀兵;杨辉 申请(专利权)人: 苏州纳睿光电有限公司
主分类号: H01S5/22 分类号: H01S5/22;H01S5/042
代理公司: 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 代理人: 陶海锋;陆金星
地址: 215123 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种氮化镓基激光器管芯的制备方法,包括如下步骤:1)在衬底上外延生长N型GaN电极接触层、N型光限制层、N型波导层、发光有源区、P型波导层、P型光限制层和P型电极接触层;得到氮化镓基激光器外延结构;2)将氮化镓基激光器外延结构刻蚀至P型光限制层,并刻去部分P型波导层,形成激光器的脊型结构;3)在上述激光器的脊型结构的表面蒸镀P型欧姆接触电极;4)在P型欧姆接触电极的表面形成p型层加厚电极;5)将衬底减薄;6)蒸镀N型欧姆接触电极金属;7)分割形成单个激光器的管芯。本发明的制备方法可以简化激光器的制作工艺,使激光器的脊型的侧壁形成金属接触,增大金属接触面积,减小接触电阻,降低工作电压,增加散热效果。
搜索关键词: 一种 氮化 激光器 管芯 制备 方法
【主权项】:
一种氮化镓基激光器管芯的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:1)在衬底上外延生长N型GaN电极接触层、N型AlGaN光限制层、N型AlInGaN波导层、发光有源区、P型波导层、P型AlGaN光限制层和P型GaN电极接触层;得到氮化镓基激光器外延结构;2)根据氮化镓基激光器管芯的结构和相应的管芯分割道的设计尺寸,利用光刻胶或介质膜做掩膜,将上述氮化镓基激光器外延结构刻蚀至P型AlGaN光限制层,并刻去部分P型波导层,形成激光器的脊型结构;所述P型波导层、P型AlGaN光限制层和P型GaN电极接触层的厚度之和大于所述激光器的脊型结构的高度;3)然后在上述激光器的脊型结构的表面蒸镀P型欧姆接触电极,退火,使激光器的脊型表面和侧壁形成欧姆接触,其他地方形成肖特基接触;4)在上述P型欧姆接触电极的表面光刻、然后蒸镀金属形成p型层加厚电极;5)将衬底减薄到70~150 mm;6)然后在减薄的衬底表面蒸镀N型欧姆接触电极金属,形成良好的欧姆接触特性;7)沿设计好的管芯分割道将上述激光器管芯分割,形成单个激光器的管芯。
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