[发明专利]一种真空多腔原子层沉积设备无效
申请号: | 201210012672.5 | 申请日: | 2012-01-16 |
公开(公告)号: | CN102560424A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
发明(设计)人: | 姜谦 | 申请(专利权)人: | 姜谦 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;C23C16/54 |
代理公司: | 沈阳维特专利商标事务所(普通合伙) 21229 | 代理人: | 甄玉荃 |
地址: | 110000 辽宁省*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | 一种真空多腔原子层沉积设备,其目的是要解决现有技术成膜过程耗时长、产量低、设备结构复杂及制造成本高的技术难题。本发明调整了原有的反应腔结构,每个前躯体拥有一个独立的反应腔,每个反应腔都拥有一个真空泵,在其中至少一个反应腔中设有能量来源装置;在另外的反应腔中设有前躯体,上述存片装置、冷却装置及反应腔与传送装置相接并相通。该设备还可根据反应需要及产量要求在此基础上以能够生成一层原子层厚度薄膜的腔体为一套腔体,可成倍的进行加载。本发明采用环形腔体结构、长方形腔体结构和圆环形的腔体结构。可广泛用于金属、玻璃、硅片、塑料及模板等基体材料的薄膜涂层领域。 | ||
搜索关键词: | 一种 真空 原子 沉积 设备 | ||
【主权项】:
一种真空多腔原子层沉积设备,包括冷却装置和存片装置,其特征在于:每个前躯体拥有一个独立的反应腔,每个反应腔都拥有一个真空泵,在其中至少一个反应腔中设有能量来源装置;在另外的反应腔中设有前躯体,上述存片装置、冷却装置及反应腔与传送装置相接并相通,该设备以能够生成一层原子层厚度薄膜的腔体为一套腔体,可成倍的进行加载,上述的反应腔都是一个真空的腔体。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的