[发明专利]在顶部金属层上形成金属-绝缘体-金属电容器有效
| 申请号： | 201210012935.2 | 申请日： | 2012-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN102593096A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 巫昆懋;林志勋;叶玉隆;蔡冠智 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;房岭梅 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 多个金属层包括顶部金属层。将超厚金属(UTM)层设置在所述顶部金属层上方，其中，没有额外的金属层定位在UTM层和顶部金属层之间。将金属-绝缘体-金属(MIM)电容器设置在UTM层下方并且设置在顶部金属层上方。本发明还公开了一种在顶部金属层上形成金属-绝缘体-金属电容器。 | ||
| 搜索关键词： | 顶部 金属 形成 绝缘体 电容器 | ||
【主权项】：
一种器件，包括：多个金属层，包括顶部金属层；超厚金属(UTM)层，在所述顶部金属层上方，其中，没有额外的金属层定位在所述UTM层和所述顶部金属层之间；以及金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器，在所述UTM层下方并且在所述顶部金属层上方。
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