[发明专利]基于双面金属包覆波导结构非晶硅太阳能电池及制造工艺有效
申请号: | 201210013076.9 | 申请日: | 2012-01-16 |
公开(公告)号: | CN102694038A | 公开(公告)日: | 2012-09-26 |
发明(设计)人: | 陈麟;朱亦鸣;罗士达;陈宏彦 | 申请(专利权)人: | 上海理工大学 |
主分类号: | H01L31/0232 | 分类号: | H01L31/0232;H01L31/075;H01L31/20 |
代理公司: | 上海三和万国知识产权代理事务所 31230 | 代理人: | 陈伟勇 |
地址: | 200093 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明涉及太阳能技术领域,尤其涉及一种太阳能电池。基于双面金属包覆波导结构的非晶硅太阳能电池,包括太阳能电池层,太阳能电池层包括衬底层、非晶硅层、导电薄膜层、玻璃层,玻璃层、导电薄膜层和非晶硅层形成波导层。衬底层采用金属全反射层。金属耦合层设置在玻璃层上。金属耦合层、波导层和金属全反射层形成波导结构。基于双面金属包覆波导结构的非晶硅太阳能电池的制造方法,包括:1)制备玻璃层;2)掩膜;3)制备金属耦合层;4)制备导电薄膜层;5)制备非晶硅层;6)制备金属全反射层。由于采用上述技术方案,本发明具有吸收光谱宽、光谱入射角度宽、效率高、陷光作用强等显著优点。 | ||
搜索关键词: | 基于 双面 金属 波导 结构 非晶硅 太阳能电池 制造 工艺 | ||
【主权项】:
基于双面金属包覆波导结构的非晶硅太阳能电池,包括一太阳能电池层,其特征在于,所述太阳能电池层包括一衬底层、设置在所述衬底层上的非晶硅层、设置在所述非晶硅层上的导电薄膜层、设置在所述导电薄膜层上的玻璃层,所述玻璃层、所述导电薄膜层和所述非晶硅层形成一波导层;所述衬底层采用一金属全反射层;还包括一金属耦合层,所述金属耦合层设置在所述玻璃层上;所述金属耦合层、所述波导层和所述金属全反射层形成一波导结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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