[发明专利]利用强制对流对薄膜装置进行均匀热处理的设备及方法无效
申请号: | 201210013302.3 | 申请日: | 2012-01-16 |
公开(公告)号: | CN103151260A | 公开(公告)日: | 2013-06-12 |
发明(设计)人: | 保罗·亚历山大;史蒂文·阿拉根 | 申请(专利权)人: | 思阳公司 |
主分类号: | H01L21/324 | 分类号: | H01L21/324;H01L31/18 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 余刚;吴孟秋 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本申请提供了一种利用强制对流对薄膜装置进行均匀热处理的设备和方法。所述设备包括:包围填充有工作气体的管状空间的室和设置于室外部的加热器。设备进一步包括装载构造,用于使多个平面状基板经受管状空间中的工作气体。在装载构造的上方和下方设置有隔离件。 | ||
搜索关键词: | 利用 强制 对流 薄膜 装置 进行 均匀 热处理 设备 方法 | ||
【主权项】:
一种对薄膜材料进行均匀热反应处理的设备,所述设备包括:室,包围一管状空间,沿轴向从第一端区域水平地延伸至第二端区域附近,所述管状空间填充有工作气体;至少一个加热器,设置于所述室的外部周边处以提供热能用于加热所述室;装载构造,用于使多个基板经受所述管状空间中的所述工作气体,所述多个基板中的每一个均在空间上布置为与每个相邻基板有一间隔;第一隔离件,设置于所述装载构造上方;第二隔离件,设置于所述装载构造下方,所述第二隔离件位于所述第一隔离件下方一距离处;第三隔离件,在所述装载构造前方设置得邻近所述第一端区域;以及吹送装置,设置于所述第三隔离件与所述装载构造之间,所述吹送装置面向所述轴向并且具有的径向尺寸基本上等于所述第一隔离件与所述第二隔离件之间的距离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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