[发明专利]结合低温和植物生长调节剂促进春石斛提前开花的方法有效
申请号: | 201210013721.7 | 申请日: | 2012-01-16 |
公开(公告)号: | CN102550257A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
发明(设计)人: | 王再花;操君喜;朱根发 | 申请(专利权)人: | 广东省农业科学院花卉研究所 |
主分类号: | A01G1/00 | 分类号: | A01G1/00;A01G7/06 |
代理公司: | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人: | 杨晓松;裘晖 |
地址: | 510640 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种结合低温和植物生长调节剂促进春石斛提前开花的方法,该方法包括以下步骤:将春石斛置于高山温室中培养45天,高山温室的日夜温度分别为18-31℃和7-18℃,其间每隔10天对春石斛茎部喷施植物生长调节剂溶液;高山温室培养结束后,将春石斛移至平地温室中,平地温室的日夜温度分别为25℃和20℃,培养60-70天后,春石斛即开花。本发明的方法能促进春石斛花芽的诱导和正常开放,明显提高株正常开花率、节正常开花率和节平均开花朵数,从而大大提高了春石斛的观赏品质和商业价值。与现有高山催花方法比较,本发明方法能够在正常开花率、株开花朵数等方面达到更好的催花效果,花的品质得到明显提高,没有产生因使用植物生长调节剂引起的药害。 | ||
搜索关键词: | 结合 温和 植物 生长 调节剂 促进 石斛 提前 开花 方法 | ||
【主权项】:
一种结合低温和植物生长调节剂促进春石斛提前开花的方法,其特征在于包括以下步骤:在春石斛假鳞茎成熟后,将其置于高山温室中培养45天,高山温室的日夜温度分别为18‑31℃和7‑18℃,其间每隔10天对春石斛茎部喷施10‑100mg/L的植物生长调节剂溶液;高山温室培养结束后,将春石斛移至平地温室中,平地温室的日夜温度分别为25℃和20℃,培养60‑70天后,春石斛即开花。
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