[发明专利]一种聚碳硅烷先驱体的催化合成方法有效
| 申请号： | 201210013753.7 | 申请日： | 2012-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN102585235A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 谢征芳;王军;宋永才;薛金根 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军国防科学技术大学 |
| 主分类号： | C08G77/60 | 分类号： | C08G77/60;C04B35/565 |
| 代理公司： | 长沙星耀专利事务所 43205 | 代理人： | 宁星耀 |
| 地址： | 410073 *** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 一种聚碳硅烷先驱体的催化合成方法，包括以下步骤：（1）对常压高温裂解转化合成装置抽真空，用氮气充满至常压；（2）将聚硅碳硅烷引入常压高温裂解转化合成装置内；（3）将催化剂金属氧化物或氧化硅与金属氧化物的复合氧化物置于常压高温裂解转化合成装置内；（4）升温至420℃～460℃，反应10h～16h，冷却至室温；（5）将第（4）步所得粗产品经二甲苯溶解、过滤，滤液进行旋转蒸馏，冷却至室温，即成。本发明反应时间短，合成产率高；产品分子结构的线性度高；设备简单；催化剂成本低；操作安全。合成的聚碳硅烷先驱体适用于制备SiC纤维和SiC陶瓷基复合材料。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅烷 先驱 催化 合成 方法 | ||
【主权项】：
一种聚碳硅烷先驱体的催化合成方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）对常压高温裂解转化合成装置抽真空，用氮气置换釜内气体至常压，重复2‑4次；（2）将聚硅碳硅烷引入到常压高温裂解转化合成装置内；（3）将催化剂金属氧化物或氧化硅与金属氧化物的复合氧化物，引入常压高温裂解转化合成装置内，催化剂的用量为聚硅碳硅烷质量的0.1%～5%；（4）程序升温至400℃～460℃，反应10h～16h，冷却至室温；（5）将第（4）步所得粗产品经二甲苯溶解、过滤，滤液在150℃～210℃进行旋转蒸馏，冷却至室温，即成。
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