[发明专利]一种硅外延层过渡区的无损检测方法无效
| 申请号： | 201210013901.5 | 申请日： | 2012-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN102538732A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 赵丽霞;陈秉克 | 申请（专利权）人： | 河北普兴电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G01B21/02 | 分类号： | G01B21/02;G01B7/06;G01B11/06 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 李荣文 |
| 地址： | 050200 河北省石*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅外延层过渡区的无损检测方法，属于硅外延生长技术领域。本发明的方法包括下述步骤：（1）生长前利用电容位移传感器的方法先测量硅衬底片总厚度Tsub；（2）将硅衬底片外延生长，取片后利用红外膜厚测试仪测量硅外延层厚度Tepi，测量位置和外延前测量硅衬底片厚度的位置相对应；（3）然后利用电容位移传感器测量外延后的硅片的总厚度Ttot，其测量位置和硅衬底片测量厚度的位置相对应；（4）利用公式:(硅衬底片总厚度Tsub+硅外延层厚度Tepi)–外延后硅片的总厚度Ttot，得到过渡区长度。本发明的方法具有无损、准确率高、检测速度快的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 外延 过渡 无损 检测 方法 | ||
【主权项】：
一种硅外延层过渡区的无损检测方法，其特征在于包括下述步骤：（1）生长前利用电容位移传感器的方法先测量硅衬底片总厚度Tsub；（2）将硅衬底片外延生长，取片后利用红外膜厚测试仪测量硅外延层厚度Tepi，测量位置和外延前测量硅衬底片厚度的位置相对应；（3）然后利用电容位移传感器测量外延后的硅片的总厚度Ttot，其测量位置和硅衬底片测量厚度的位置相对应；（4）利用公式: (硅衬底片总厚度Tsub+硅外延层厚度Tepi) ‑外延后硅片的总厚度Ttot，得到过渡区长度。
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