[发明专利]一种柱状凸点封装工艺无效
| 申请号： | 201210014208.X | 申请日： | 2012-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN102543766A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 丁万春 | 申请（专利权）人： | 南通富士通微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京市惠诚律师事务所 11353 | 代理人： | 雷志刚;潘士霖 |
| 地址： | 226006 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种柱状凸点封装工艺，包括：在芯片的焊盘和钝化层上形成凸点下金属层；在凸点下金属层上形成光刻胶，所述光刻胶设有开口暴露出芯片焊盘上方的凸点下金属层；在上述开口中的凸点下金属层上形成铜柱；在铜柱上形成焊料凸点；去除光刻胶；蚀刻钝化层上的凸点下金属层至钝化层裸露；在裸露的铜柱表面形成氧化层；去除焊料凸点表面的氧化物，并回流焊料凸点。本发明提高了焊料凸点的电性能和可靠性，适用于焊盘密间距、输出功能多的芯片级封装。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 柱状 封装 工艺 | ||
【主权项】：
一种柱状凸点封装工艺，其特征在于，包括：在芯片的焊盘和钝化层上形成凸点下金属层；在凸点下金属层上形成光刻胶，所述光刻胶设有开口曝露出芯片焊盘上方的凸点下金属层；在上述开口中的凸点下金属层上形成铜柱；在铜柱上形成焊料凸点；去除光刻胶；蚀刻钝化层上的凸点下金属层至钝化层裸露；在裸露的铜柱表面形成氧化层；去除焊料凸点表面的氧化物，并回流焊料凸点。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
