[发明专利]室温等离子体刻蚀制备半导体性单壁碳纳米管的方法无效
| 申请号： | 201210014357.6 | 申请日： | 2012-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN102530854A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 张亚非;苏言杰;魏浩 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | B82B3/00 | 分类号： | B82B3/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人： | 林君如 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种室温等离子体刻蚀制备半导体性单壁碳纳米管的方法，首先把均匀分散在有机溶剂中的碳纳米管溶液滴在载玻片上并烘干；然后将烘干后载玻片放入等离子处理设备中并抽真空至10-2Pa。通过调控刻蚀过程等离子体处理腔内低压气体的压力、等离子体功率、刻蚀时间等参数来实现金属性单壁碳纳米管的刻蚀，从而留下半导体性单壁碳纳米管。与现有技术相比，本发明采用室温等离子体刻蚀法制备半导体性单壁碳纳米管，工艺简单、便于大面积制备半导体单壁碳纳米管。 | ||
| 搜索关键词： | 室温 等离子体 刻蚀 制备 半导体 性单壁碳 纳米 方法 | ||
【主权项】：
室温等离子体刻蚀制备半导体性单壁碳纳米管的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：(1)将均匀分散在有机溶剂中的碳纳米管滴在载玻片上并烘干；(2)将烘干后载玻片放入等离子处理设备中并抽真空至10‑2Pa；(3)调节等离子体处理腔内低压气体的压力、等离子体功率、刻蚀时间实现对金属性单壁碳纳米管的刻蚀，留下半导体性单壁碳纳米管，即为产品。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海交通大学，未经上海交通大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210014357.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
