[发明专利]铜铟镓硒电池及其制备方法有效
| 申请号： | 201210014456.4 | 申请日： | 2012-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN102544132A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 李帅;苏青峰;赖建明;张根发;罗军;王长君;马礼敏;郑泽秀 | 申请（专利权）人： | 上海联孚新能源科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/032 | 分类号： | H01L31/032;H01L31/0352;H01L31/18 |
| 代理公司： | 上海硕力知识产权代理事务所 31251 | 代理人： | 王建国 |
| 地址： | 201201 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种铜铟镓硒电池及该电池的制备方法，其中，该铜铟镓硒电池依次包括衬底、P型掺钠的CIGS吸收层、n缓冲层、n型氧化锌层、透明导电层和采集电极。所述P型掺钠的CIGS吸收层和n型氧化锌层构成PN结。所述P型掺钠的CIGS吸收层的厚度是1～10微米，依次包括镓浓度为1％～1.5％的低镓CIGS吸收层、镓浓度为3％～5％的中镓CIGS吸收层和镓浓度为6％～8％的高镓CIGS吸收层。本发明的铜铟镓硒电池的P型掺钠的CIGS吸收层的镓元素呈V型分布，电池效率高，另外，本发明的方法能够确保在CIGS吸收层中镓元素呈“V”字分布以及克服在不锈钢为基底的CIGS吸收层中掺钠困难的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 铜铟镓硒 电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
铜铟镓硒电池，依次包括衬底、P型掺钠的CIGS吸收层、n型缓冲层、n型氧化锌层、透明导电层和采集电极，所述P型掺钠的CIGS吸收层和n型氧化锌层构成PN结，其特征在于：所述P型掺钠的CIGS吸收层的厚度是1～10微米，依次包括镓浓度为1％～1.5％的低镓CIGS吸收层、镓浓度为3％～5％的中镓CIGS吸收层和镓浓度为6％～8％的高镓CIGS吸收层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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