[发明专利]利用TSV技术实现GaAs图像传感器的圆片级封装方法有效
| 申请号： | 201210014615.0 | 申请日： | 2012-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN102544040A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 叶交托;罗乐;徐高卫;王双福 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 潘振甦 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种利用硅通孔(TSV)技术实现砷化镓(GaAs)图像传感器圆片级封装的方法。其特征在于其步骤包括：机械加工与湿法腐蚀配合使用加工出凹槽；在凹槽中制作一树脂绝缘层；然后用激光方法在树脂上制作通孔；槽内和通孔内电镀，实现晶片正面电极的背部引出；做钝化层和焊料凸点。整个工艺过程在圆片级完成，在降低封装成本的基础上具有较高的互连密度。同时，制作的互连结构具有较高的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 tsv 技术 实现 gaas 图像传感器 圆片级 封装 方法 | ||
【主权项】：
一种利用TSV技术实现砷化镓图像传感器的圆片级封装的方法，其特征在于首先将图像传感器晶片键合到一透明基板上，随后利用机械加工与湿法腐蚀配合使用的方法在晶片的背面加工出凹槽，同时在凹槽底部暴露出焊盘电极；第二步是在凹槽中制作一树脂绝缘层；并使用激光加工方法在绝缘层上制作通孔，通孔穿透焊盘电极；第三步是制作金属种子层、通孔和槽内电镀；最后制作钝化层和焊料凸点
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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