[发明专利]薄膜晶体管及制造方法、有机发光显示装置及制造方法

摘要

本发明公开了一种薄膜晶体管及制造方法以及一种有机发光显示装置及制造方法。一种制造薄膜晶体管的方法，所述方法包括以下步骤在基底上形成缓冲层、非晶硅层和绝缘层；将非晶硅层晶化为多晶硅层；通过同时图案化多晶硅层和绝缘层来形成具有预定形状的半导体层和栅极绝缘层；形成包括第一部分和第二部分的栅电极。第一部分形成在栅极绝缘层上并与半导体层的沟道区叠置，第二部分接触半导体层。在半导体层上形成源区和漏区。层间绝缘层形成在栅电极上以覆盖栅极绝缘层，接触孔形成在层间绝缘层和栅极绝缘层上以暴露源区和漏区，并同时形成用于暴露所述第二部分的开口。形成源电极和漏电极，同时去除经开口暴露的所述第二部分。

主权项

一种制造薄膜晶体管的方法，所述方法包括以下步骤：在基底上形成缓冲层、非晶硅层和绝缘层；将非晶硅层晶化为多晶硅层；通过同时图案化多晶硅层和绝缘层来形成具有预定形状的半导体层和栅极绝缘层；通过在栅极绝缘层上形成金属层并将金属层图案化来形成包括第一部分和第二部分的栅电极，其中，第一部分形成在栅极绝缘层上并与半导体层的沟道区叠置，第二部分接触半导体层；通过对半导体层的区域执行掺杂来在半导体层上形成源区和漏区，其中，所述区域不包括与栅电极叠置的沟道区，并且所述区域构成不与栅电极叠置的区域；在栅电极上形成层间绝缘层以覆盖栅极绝缘层；在层间绝缘层和栅极绝缘层上形成接触孔以暴露源区和漏区，并同时形成用于暴露所述第二部分的开口；通过在层间绝缘层上形成导电层并将导电层图案化，同时去除经开口暴露的所述第二部分，来形成源电极和漏电极，其中，源电极和漏电极经接触孔分别电连接到源区和漏区。