[发明专利]制造发光元件阵列的方法有效
| 申请号： | 201210014943.0 | 申请日： | 2008-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN102569559A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 刘宗宪;陈昭兴;郭政达 | 申请（专利权）人： | 晶元光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L27/15 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制造发光元件阵列的方法，包含：提供基板；形成发光叠层于该基板之上，其中该发光叠层包含：第一半导体层，位于该基板之上；发光层，位于该第一半导体层之上；及第二半导体层，位于该发光层之上；形成至少一沟槽于该基板之上，其中该沟槽曝露部分该基板，并将该发光叠层分隔成至少一第一发光元件与第二发光元件；及形成绝缘层于该发光叠层与该沟槽之上，该沟槽的宽度不大于两倍的该绝缘层的厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 发光 元件 阵列 方法 | ||
【主权项】：
一种制造发光元件阵列的方法，包含：提供基板；形成发光叠层于该基板之上，其中该发光叠层包含：第一半导体层，位于该基板之上；发光层，位于该第一半导体层之上；及第二半导体层，位于该发光层之上；形成至少一沟槽于该基板之上，其中该沟槽曝露部分该基板，并将该发光叠层分隔成至少一第一发光元件与第二发光元件；及形成绝缘层于该发光叠层与该沟槽之上，该沟槽的宽度不大于两倍的该绝缘层的厚度。
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