[发明专利]EUV用防尘薄膜及防尘薄膜组件，以及该膜的制造方法

摘要

本发明提供一种EUV用防尘薄膜组件，其将膜厚均匀的单晶硅膜作为防尘薄膜。该防尘薄膜由厚度为20nm-1μm的单晶硅薄膜以及强化该薄膜的辅助结构构成，其特征在于上述单晶硅薄膜与辅助结构通过硅氧化物层而牢固地结合。上述防尘薄膜的制造方法，其特征在于含有将辅助结构用图案设置在SOI基板的硅支持基板表面后，进行干式蚀刻直到硅氧化膜露出为止，接着除去露出的硅氧化物层的工序，所述SOI基板由单晶硅层、硅氧化物层以及上述硅支持基板构成，且上述单晶硅层以及硅氧化物层的厚度分别为20nm-1μm，而上述硅支持基板的厚度为30μm-300μm。

主权项

一种防尘薄膜，是由厚度为20nm‑1μm的单晶硅薄膜以及强化该薄膜的辅助结构构成的防尘薄膜，其特征在于：上述单晶硅薄膜和辅助结构通过硅氧化物层被牢固地结合。