[发明专利]高效多晶硅铸锭方法有效
申请号: | 201210015367.1 | 申请日: | 2012-01-17 |
公开(公告)号: | CN103205797A | 公开(公告)日: | 2013-07-17 |
发明(设计)人: | 王楠;郭大伟;王再东;霍帅 | 申请(专利权)人: | 北京京运通科技股份有限公司 |
主分类号: | C30B11/00 | 分类号: | C30B11/00;C30B28/06;C30B29/06 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100176 北京市通州*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明实施例公开了一种高效多晶硅铸锭方法,属于光伏技术领域。解决了现有的多晶硅铸锭方法生产效率低的技术问题。该高效多晶硅铸锭方法,包括投料、抽空检漏、加热、熔化、长晶、退火冷却;其中加热步骤中,先以真空模式与进气控制升至200mbar气体模式交替的方式,将加热功率由0kW逐步升至140kW,再将功率保持在140kW,利用进气控制使炉室内压力逐步升至600mbar,最后利用出气控制将炉室内压力保持在600mbar,温度升至1520℃以上;之后进行熔化、长晶、快速退火、冷却。本发明应用于改进多晶硅铸锭的生产效率。 | ||
搜索关键词: | 高效 多晶 铸锭 方法 | ||
【主权项】:
一种高效多晶硅铸锭方法,其特征在于,包括:投料:将多晶硅料装入坩埚中;抽空检漏:将装有多晶硅料的坩埚投入铸锭炉内,合炉后进行抽真空检漏;加热:检漏通过后开始通电加热,先以真空模式与进气控制升至200mbar气体模式交替的方式,将加热功率由0Kw逐步升至140Kw,再将功率保持在140Kw,利用进气控制使炉室内压力逐步升至600mbar,最后利用出气控制将炉室内压力保持在600mbar,温度升至1520℃以上;熔化:在600mbar气体模式下,先将温度保持在1520℃以上,使多晶硅料稳定熔化,硅原料全部熔化后,将温度逐步降低至1450℃以下并保持温度的稳定;长晶:在600mbar气体模式下,将温度逐步降低至1400℃‑1410℃之间,同时将隔热笼逐步开启至15cm‑25cm之间,使硅晶体以一定速度定向生长;退火:在一定时间内,将隔热笼闭合,同时将温度降低至1400℃以下并在此温度保温一段时间,以消除硅锭内部热应力;冷却:逐步打开隔热笼,将硅锭冷却至400℃以下,出炉。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京京运通科技股份有限公司,未经北京京运通科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210015367.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。