[发明专利]ESD保护装置有效
申请号: | 201210016467.6 | 申请日: | 2012-01-18 |
公开(公告)号: | CN102623449A | 公开(公告)日: | 2012-08-01 |
发明(设计)人: | 斯特芬·霍兰;潘之昊 | 申请(专利权)人: | NXP股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 王波波 |
地址: | 荷兰艾*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 为输入节点和输出节点之间的放电电流提供了静电放电(ESD)保护。根据多种实施方式,ESD保护装置包括具有发射极和集电极的开路-基极晶体管,发射极连接至输入节点,集电极连接用于响应于输入节点处的超过引起晶体管击穿的阈值的电压而经由电阻器将电流传输至输出节点。电阻器连接在第二开路-基极晶体管的发射极和集电极区域之间,第二开路-基极晶体管配置用于响应于通过电阻器的超过在第二晶体管上施加阈值击穿电压的阈值的电流而导通,用于传输电流。在一些实施方案中,第二晶体管的发射极和/或基极连接至第一晶体管的基极和集电极,或分别为与第一晶体管的基极和集电极相同的区域。 | ||
搜索关键词: | esd 保护装置 | ||
【主权项】:
一种ESD保护装置,包括:具有交替导电类型的多个相邻半导体区域,包括在其间形成第一P‑N结的第一区域和第二区域、与第二区域一起形成P‑N结的第三区域、与第三区域一起形成P‑N结的第四区域以及与第四区域一起形成P‑N结的第五区域;连接至第一区域的第一触点;连接至第五区域的第二触点;连接在第三区域和第五区域之间的电阻器;电阻器与第一、第二、第三和第五区域形成第一电流路径,所述第一电流路径配置用于响应于超过由第一、第二和第三区域形成的第一晶体管的击穿阈值的电压,使电流经由第一区域和第五区域在第一触点和第二触点之间流动;以及第一、第二、第三、第四和第五区域形成第二电流路径,所述第二电流路径配置用于响应于流过电阻器的电流超过由第三、第四和第五区域形成的第二晶体管上的电压达到第二晶体管的击穿电压时的阈值,使电流经由第一区域和第五区域在第一触点和第二触点之间流动。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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