[发明专利]ESD保护装置有效

专利信息
申请号: 201210016467.6 申请日: 2012-01-18
公开(公告)号: CN102623449A 公开(公告)日: 2012-08-01
发明(设计)人: 斯特芬·霍兰;潘之昊 申请(专利权)人: NXP股份有限公司
主分类号: H01L27/02 分类号: H01L27/02
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 王波波
地址: 荷兰艾*** 国省代码: 荷兰;NL
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摘要: 为输入节点和输出节点之间的放电电流提供了静电放电(ESD)保护。根据多种实施方式,ESD保护装置包括具有发射极和集电极的开路-基极晶体管,发射极连接至输入节点,集电极连接用于响应于输入节点处的超过引起晶体管击穿的阈值的电压而经由电阻器将电流传输至输出节点。电阻器连接在第二开路-基极晶体管的发射极和集电极区域之间,第二开路-基极晶体管配置用于响应于通过电阻器的超过在第二晶体管上施加阈值击穿电压的阈值的电流而导通,用于传输电流。在一些实施方案中,第二晶体管的发射极和/或基极连接至第一晶体管的基极和集电极,或分别为与第一晶体管的基极和集电极相同的区域。
搜索关键词: esd 保护装置
【主权项】:
一种ESD保护装置,包括:具有交替导电类型的多个相邻半导体区域,包括在其间形成第一P‑N结的第一区域和第二区域、与第二区域一起形成P‑N结的第三区域、与第三区域一起形成P‑N结的第四区域以及与第四区域一起形成P‑N结的第五区域;连接至第一区域的第一触点;连接至第五区域的第二触点;连接在第三区域和第五区域之间的电阻器;电阻器与第一、第二、第三和第五区域形成第一电流路径,所述第一电流路径配置用于响应于超过由第一、第二和第三区域形成的第一晶体管的击穿阈值的电压,使电流经由第一区域和第五区域在第一触点和第二触点之间流动;以及第一、第二、第三、第四和第五区域形成第二电流路径,所述第二电流路径配置用于响应于流过电阻器的电流超过由第三、第四和第五区域形成的第二晶体管上的电压达到第二晶体管的击穿电压时的阈值,使电流经由第一区域和第五区域在第一触点和第二触点之间流动。
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