[发明专利]一种检测晶圆内部的杂质的方法无效
| 申请号： | 201210016628.1 | 申请日： | 2012-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN102569121A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 叶伟清 | 申请（专利权）人： | 叶伟清 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G01N27/64;G01N1/02;G01N1/32 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201600 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种检测晶圆内部的杂质的方法，包括：将晶圆表面蚀刻去除预定厚度；在蚀刻后的晶圆表面上进行采样，获得蚀刻后的晶圆的采样样品；对采样样品进行分析，获得晶圆内部的杂质的信息。本发明实施例中，使用蚀刻的方法去除晶圆表面的材料层，然后对蚀刻后的晶圆表面进行定点采样并对采样样品进行分析获得晶圆的杂质信息。这样，能够对晶圆表面层以下以微米单位的厚度进行层层去除，从而获取晶圆内部微米厚度层上的杂质含量分布数据，并且避免了机械切割检测方法难以获取微米厚度层进行采样以及机械切割检测方法导入污染物的不足。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 检测 内部 杂质 方法 | ||
【主权项】：
一种检测晶圆内部的杂质的方法，其特征在于，包括：将晶圆表面蚀刻去除预定厚度；在蚀刻后的晶圆表面上进行采样，获得所述蚀刻后的晶圆的采样样品；对所述采样样品进行分析，获得所述晶圆内部的杂质的信息。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
