[发明专利]纯化硅的方法有效
| 申请号： | 201210016732.0 | 申请日： | 2007-04-04 |
| 公开（公告）号： | CN103030148A | 公开（公告）日： | 2013-04-10 |
| 发明（设计）人： | S·尼科尔 | 申请（专利权）人： | 太阳能原材料公司 |
| 主分类号： | C01B33/037 | 分类号： | C01B33/037 |
| 代理公司： | 北京北翔知识产权代理有限公司 11285 | 代理人： | 钟守期;唐铁军 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供对硅进行纯化的方法、获得纯化硅的方法，以及获得纯化硅晶体、纯化颗粒状硅和/或纯化硅锭的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 纯化 方法 | ||
【主权项】：
一种将硅纯化至太阳能级纯度的方法，该方法包括：(a)由硅和选自以下的一种溶剂金属形成第一熔液：铜、锡、锌、锑、银、铋、铝、镉、镓、铟、镁、铅，其合金，以及其结合；(b)使所述第一熔液与第一气体接触从而提供第二熔液；(c)冷却所述第二熔液从而形成第一硅晶体和第一母液；(d)分离所述第一硅晶体与所述第一母液；(e)加热所述第一硅晶体从而形成第一熔浴；(f)定向凝固所述第一熔浴从而形成第二硅晶体和第二母液；(g)分离所述第二硅晶体与所述第二母液；(h)加热所述第二硅晶体从而提供第二熔浴；(i)在熔点以下定向凝固所述第二熔浴，从而形成第三硅晶体，并分离上部分和下部分；其中上部分包括第三母液，下部分包括第三硅。
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