[发明专利]一种多段掺杂浓度梯度的石榴石复合晶体及其生长方法

摘要

本发明涉及一种多段掺杂浓度梯度的石榴石复合晶体及其生长方法，其结构通式为：(Lnx1Re1-x1)3B2C3O12/(Lnx2Re1-x2)3B2C3O12/(Lnx3Re1-x3)3B2C3O12/..../(LnxnRe1-xn)3B2C3O12；其中Ln＝Nd或Yb或Tm或Ho，0＜x1＜1，0＜x2＜1，0＜x3＜1，0＜xn＜1，n＞3；Re＝Lu，Y或Gd；B＝Sc，Al或Ga；C＝Al或Ga；石榴石结构。该复合晶体采用光浮区法生长，根据通式化学计量比配好原料，按照预先设计好的分段和长度制成多晶料棒，并装入光学浮区炉中生长。本发明的方法速度快，周期短，晶体生长不需要坩埚，减少对晶体的污染，并且梯度浓度分段明显，工艺比较简单，而且生长的晶体具有高透明性，开裂较少，适合生长浓度梯度石榴石复合晶体。

主权项

一种多段掺杂浓度梯度的石榴石复合晶体，是由多段不同掺杂浓度的石榴石晶体组成，结构通式I为:(Lnx1Re1‑x1)3B2C3O12/(Lnx2Re1‑x2)3B2C3O12/(Lnx3Re1‑x3)3B2C3O12/....../(Lnx(n‑1)Re1‑x(n‑1))3B2C3O12/(LnxnRe1‑xn)3B2C3O12，其中，Ln＝Nd、Yb、Tm或Ho，Re＝Lu，Y或Gd，n是复合晶体段数，n为大于3的整数，x1、x2、x3、.....xn‑1、xn分别代表各段的掺杂浓度，x1、x2、x3、.....xn‑1、xn大于0小于1，且各不相等。