[发明专利]一种多级钴铁氧化物纳米阵列结构化催化剂及其制备方法无效
申请号: | 201210017295.4 | 申请日: | 2012-01-19 |
公开(公告)号: | CN102580744A | 公开(公告)日: | 2012-07-18 |
发明(设计)人: | 刘军枫;孙甲强;孙晓明;段雪 | 申请(专利权)人: | 北京化工大学 |
主分类号: | B01J23/745 | 分类号: | B01J23/745;C07C47/54;C07C45/28 |
代理公司: | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人: | 沈波 |
地址: | 北京市朝*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种多级钴铁氧化物纳米阵列结构化催化剂及其制备方法,属于催化技术领域。直接生长在铁基底上的具有大比例高活性{112}晶面的纳米线编织成片状形貌的钴铁氧化物薄膜微米片,钴铁氧化物薄膜微米片上还生长着纳米级的钴铁氧化物纳米线,钴铁氧化物的化学通式是:Co3-xFexO4,其中0<x≤2。采用原位水热合成技术在铁基底上生长了钴铁水滑石微米片,之后在水滑石片上外延生长了铁取代的碱式碳酸钴纳米线,最后经高温焙烧得到。可用于苯乙烯催化氧化反应,反应物转化率高,产物选择性高。也可解决由均相催化剂和散堆颗粒催化剂带来的一系列问题,使该工艺满足环保和可持续发展的要求。 | ||
搜索关键词: | 一种 多级 氧化物 纳米 阵列 结构 催化剂 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种多级钴铁氧化物纳米阵列结构化催化剂,其特征在于,是直接生长在铁基底上的具有大比例高活性{112}晶面的纳米线编织成片状形貌的钴铁氧化物薄膜微米片,钴铁氧化物薄膜微米片上还生长着纳米级的钴铁氧化物纳米线,钴铁氧化物的化学通式是:Co3‑xFexO4,其中0<x≤2。
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