[发明专利]使用极端边缘气体管道的刻蚀装置在审
| 申请号： | 201210017710.6 | 申请日： | 2012-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN103219260A | 公开（公告）日： | 2013-07-24 |
| 发明（设计）人： | 符雅丽;王新鹏 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;顾珊 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种刻蚀装置，所述刻蚀装置包括：气体供应系统和刻蚀反应腔室，所述刻蚀反应腔室包括与所述双气体管道装置和所述极端边缘气体管道装置相连接的气体喷头。所述气体供应系统包括用于供应气体到被蚀刻的晶圆的中心部分和边缘部分的双气体管道装置和用于向被蚀刻的晶圆的极端边缘处供应刻蚀反应气体的极端边缘气体管道装置。在刻蚀过程中，通过改变极端边缘处的气体组分和气体流量，提高晶圆表面的刻蚀均匀性，同时，刻蚀速度也得到更精细的控制。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 极端 边缘 气体 管道 刻蚀 装置 | ||
【主权项】：
一种刻蚀装置，所述刻蚀装置包括：气体供应系统，所述气体供应系统包括：双气体管道装置，用于供应气体到被蚀刻的晶圆的中心部分和边缘部分；和极端边缘气体管道装置，用于向被蚀刻的晶圆的极端边缘处供应刻蚀反应气体；刻蚀反应腔室，所述刻蚀反应腔室包括与所述双气体管道装置和所述极端边缘气体管道装置相连接的气体喷头。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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